Çinli bilim insanları, flash bellek hızlarında yeni bir rekor elde etti.

Çin’deki Fudan Üniversitesi’nden bir araştırma ekibi, veri depolama teknolojilerinde çarpıcı bir yeniliğe imza attı. “PoX” olarak adlandırılan bu yeni nesil bellek çözümü, yazma hızlarında şimdiye kadar kaydedilen en yüksek performansı ortaya koydu. Testlerde, bu cihazın bir bit veriyi sadece 400 pikosaniyede yazabildiği belirlendi. Bu hız, mevcut flash belleklerin erişim sürelerini ciddi şekilde aşarak yeni bir standart oluşturdu.

PoX teknolojisi, iki boyutlu bir grafen kanalı ve bir yük kapanı katmanı içeriyor. Özellikle Dirac grafenin kullanımı sayesinde cihazın iletkenlik performansı önemli ölçüde artırıldı. Sıcak taşıyıcı enjeksiyon mekanizmasıyla desteklenen bu yapı, veri yazma ve okuma işlemlerinde hız ve dayanıklılığı bir araya getiriyor. Ayrıca, PoX’un geleneksel NAND flash belleklerle karşılaştırıldığında çok daha düşük gecikme süreleri sunduğu belirtiliyor.

Bellek teknolojilerinde hız kadar veri güvenliği de kritik bir öneme sahip. PoX cihazı bu alanda da iddialı bir performans sergiliyor. Uzun vadeli testlerde, cihazın 10 yıl boyunca veri bütünlüğünü koruyabildiği gösterildi. Ek olarak, 5,5 milyon döngü boyunca cihazda işlevsellikte kayda değer bir düşüş yaşanmadı.

Fudan Üniversitesi’nin geliştirdiği PoX cihazı veri depolama sektörüne yeni bir yön verebilir

Bugün volatil bellekler yüksek hız sunarken, enerji kesildiğinde verileri kaybettirme riski taşıyor. Diğer yandan, non-volatil bellekler veri kalıcılığı sağlasa da hız açısından zayıf kalıyor. PoX teknolojisi ise bu iki özellik arasında bir denge kurarak önemli bir boşluğu doldurmaya çalışıyor. Bu nedenle, özellikle yapay zeka tabanlı uygulamalar ve düşük gecikme sürelerine ihtiyaç duyan işler için mühim fırsatlar sunuyor.

Ayrıca, yeni teknolojilerin laboratuvar ortamından ticari ürünlere dönüşümü her zaman kolay olmuyor. Grafen gibi iki boyutlu malzemelerin büyük ölçekli üretimi hala önemli zorluklar içeriyor. Üretim maliyetleri ve süreç optimizasyonu gibi etmenlerin PoX’un gelecekteki başarısında belirleyici olacağı düşünülüyor. Ancak elde edilen performans sonuçları, bu tür yeniliklerin yakın gelecekte daha geniş uygulama alanlarına ulaşabileceğini gösteriyor.

Fudan Üniversitesi’nden araştırmacı Zhou Peng, bu başarıyı süreç optimizasyonunda yapay zeka algoritmalarını kullanarak elde ettiklerini belirtti. Açıklamalarında, bu teknolojinin yalnızca akademik alanlarda değil, endüstriyel uygulamalarda da etkili olabileceği vurgulandı. PoX’un gelecekte hem veri merkezlerinde hem de bireysel cihazlarda daha verimli depolama çözümleri sunabileceği ifade edildi. Ancak bu hedeflere ulaşmak için teknolojinin ticarileştirilme sürecinde dikkatli bir ilerleme stratejisi izlenmesi gerektiği belirtiliyor.

Ekipten Liu Chunsen ise mevcut aşamada işlevsel bir çip üretmeyi başardıklarını söyledi. Şu anda PoX teknolojisinin mevcut akıllı telefonlar ve bilgisayarlara entegrasyonu üzerinde çalışılıyor. Bu entegrasyon gerçekleştirildiğinde, cihazlarda gecikme ve aşırı ısınma sorunlarına yol açan mevcut depolama teknolojilerinin sınırlarının aşılabileceği düşünülüyor. Ayrıca, bu durum yerel yapay zeka modellerinin mobil cihazlarda daha etkin şekilde çalıştırılmasına olanak tanıyabilir.

PoX’un vaatleri yalnızca hızla sınırlı değil. Aynı zamanda veri güvenliğini ve enerji verimliliğini artırma potansiyeline de sahip. Bu sebeplerle, düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalarda da önemli bir konum edinmesi bekleniyor. Yapay zeka, büyük veri analitiği ve nesnelerin interneti gibi alanlarda PoX’un etkisinin artması muhtemel görülüyor. Sonuç olarak, teknoloji şirketlerinin bu yeniliği nasıl ticarileştireceği, önümüzdeki dönemin en kritik sorusu olmaya devam ediyor.